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本文標題："材料固有的晶體結構特征分析便攜金相顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2016-5-28 1:09:09 本站主頁地址：http://m.027toilet.cn
材料固有的晶體結構特征分析便攜金相顯微鏡
層生長型
這種生長類型的特點是：蒸發原子首先在冷凝表面上以單原
子層的形式均勻地覆蓋一層，然后再在三維方向生長第二層、第
三層……這種生長方式多數發生在冷凝原子與蒸發原子問的結合
能接近于蒸發原子間的結合能的情況下。最典型的例子則是同質
外延生長及分子束外延。
層狀生長的過程大致如下：入射到冷凝表面上的原子，經過
表面擴散并與其他原子碰撞后形成二維的核，二維核捕捉周圍的
吸附原子便生成為二維小島。這類材料在表面上形成的小島濃度
大體是飽和濃度，即小島間的距離大體上等于吸附原子平均擴散
距離。在小島生長過程中，小島的半徑均小于平均擴散距離，因此，
到達小島上的吸附原子在小島擴散以后都被小島的邊緣所捕獲。
在小島表面上吸附原子濃度很低，不容易在三維方向上生長。也就
是說，只有在第n層小島已長到足夠大，甚至小島已相互結合，第
n層已接近安全形成時，第n+1層的二維晶核或二維小島才有可
能形成，因而結晶是以層狀的形式生長的。
層狀生長時，靠近基體的結晶其晶狀結構通常類似于基體的
結構，只有到一定厚度時才過渡到該材料固有的晶體結構。
(3)層核生長型
在冷凝面和薄膜原子相互作用特別強的情況下，才容易出現
層核生長型。首先在冷凝表面上長1～2層單原子層，這種二維結構
強烈地受到冷凝品格的影響，晶格常數有較大的畸變。然后再在這
原子層上吸附入射原子，并以核生長的方式生成小島，最終形成
結晶。在半導體表面上形成金屬薄膜時，常常屬于這種類型。
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